拥有6项已授权国家发明专利，如《一种基于衬底电流注入补偿的低温漂CMOS带隙基准源》，通过分段曲率补偿技术将温度系数降至4.8ppm/°C，在-40~125°C范围内输出漂移小于1.5mV。

专利《一种适用于高速串行接口的连续时间线性均衡器电路》已应用于一款28nm SerDes芯片，通过改进的源极退化电容结构，接收端眼图水平张开度提升22%，省去了外部无源均衡网络，降低了BOM成本。